Este experimento permite derivar una estimación del Energy gap de materiales semiconductores (Ge y Si) a temperatura
ambiente, produciendo par de electrones-vacío mediante el efecto fotoeléctrico interno.
El experimento consiste en golpear una muestra semiconductoras con un haz de luz monocromática y medir, en función de la longitud de onda de la luz incidente, el cambio de la resistencia de la muestra (fotoconductividad) y la intensidad de la luz transmitida por el mismo.
PROGRAMA DE FORMACION
Determinación del Energy gap de un semiconductor:
• Mediante la medición de la fotoconductividad
• Mediante la medición de la transmisión de luz
DATOS TECNICOS
• Carril doble para el alineamiento
• Lámpara incandescente con chopper
• Lentes de enfoque
• Rejilla de difracción con transportador
• Sensor de ángulo
• Filtros ópticos
• Muestras delgadas de Ge y Si (sensor fotoconductor)
• Sensor piroeléctrico
• Circuito de medición
• Cables
FABRICANTE : ELECTRONICA VENETA
