El experimento de Haynes-Shockley permite medir la movilidad de desplaza- miento de electrones y huecos en semiconductores. Es un experimento de gran valor didáctico porque visualiza directamente los fenómenos de deriva, difusión y recombinación de portadores en exceso.
En la versión que aquí se presenta se utiliza u sistema óptico de inyeccion de portadores en exceso, que elimina la dificultad
de un buen contacto de inyección.
PROGRAMA DE FORMACION
El aparato permite medir:
• Tiempo de vuelo
• Velocidad de deriva
• Movilidad
• Vida media
• Constante de difusión
DATOS TECNICOS
• Soporte de la muestra con doble cara para la fibra óptica (motorizada) y para el contacto en punta
• Impulsor doble para la tensión de barrido y diodo láser, con amplificador diferencial para sustraer la tensión de barrido de la señal de colector
• Muestra de germanio-P y germanio-N con contactos óhmicos
FABRICANTE : ELECTRONICA VENETA
